קנה Vishay Siliconix SI1002R-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI1002R-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A

מספר חלק

SI1002R-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SC-75A

חבילת מכשירי ספק

SC-75A

פיזור כוח (מקסימום)

220mW (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

610mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

560 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

2nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

36pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3776 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN