קנה Vishay Siliconix SI1056X-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI1056X-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

מספר חלק

SI1056X-T1-E3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-563, SOT-666

חבילת מכשירי ספק

SC-89-6

פיזור כוח (מקסימום)

236mW (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

89 mOhm @ 1.32A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

8.7nC @ 5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

400pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.8V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2454 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN