קנה Vishay Siliconix SI1054X-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI1054X-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

מספר חלק

SI1054X-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-563, SOT-666

חבילת מכשירי ספק

SC-89-6

פיזור כוח (מקסימום)

236mW (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 1.32A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

8.57nC @ 5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

480pF @ 6V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.8V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1570 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN