קנה Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8503NL,L1Q MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

TPWR8503NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

מספר חלק

TPWR8503NL,L1Q

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVIII-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-DSOP Advance

פיזור כוח (מקסימום)

800mW (Ta), 142W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

150A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.85 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

74nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

6900pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3497 PCS

פרטי התקשרות