קנה Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC,LQ MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TPN6R303NC,LQ

MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

מספר חלק

TPN6R303NC,LQ

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVIII

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-TSON Advance (3.3x3.3)

פיזור כוח (מקסימום)

700mW (Ta), 19W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

24nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1370pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1333 PCS

פרטי התקשרות