קנה Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL,LQ MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

TPN11006NL,LQ

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

מספר חלק

TPN11006NL,LQ

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVIII-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-TSON Advance (3.3x3.3)

פיזור כוח (מקסימום)

700mW (Ta), 30W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

17A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 200µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

23nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2000pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3535 PCS

פרטי התקשרות