קנה Toshiba Semiconductor and Storage TPH5900CNH,L1Q MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TPH5900CNH,L1Q

MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP

מספר חלק

TPH5900CNH,L1Q

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVIII-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-SOP Advance (5x5)

פיזור כוח (מקסימום)

1.6W (Ta), 42W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

150V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

7nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

600pF @ 75V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2175 PCS

פרטי התקשרות