קנה Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH,L1Q MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

TPH2010FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

מספר חלק

TPH2010FNH,L1Q

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVIII-H

סטטוס חלק

Discontinued at Digi-Key

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-SOP Advance (5x5)

פיזור כוח (מקסימום)

1.6W (Ta), 42W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

250V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

5.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

198 mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

7nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

600pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2600 PCS

פרטי התקשרות