קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

חרסינה
ספק רכיבים אלקטרוניים מקצועי

קטלוגים יצרנים CN ICs

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK90S06N1L,LQ

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

מספר חלק

TK90S06N1L,LQ

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVIII-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

TO-252-3

פיזור כוח (מקסימום)

157W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

90A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

81nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

5400pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2770 PCS

פרטי התקשרות