קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK6P65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

מספר חלק

TK6P65W,RQ

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

DTMOSIV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

DPAK

פיזור כוח (מקסימום)

60W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

5.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 180µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

11nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

390pF @ 300V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1262 PCS

פרטי התקשרות