קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK56E12N1,S1X MOSFET N CH 120V 56A TO-220

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK56E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 56A TO-220

מספר חלק

TK56E12N1,S1X

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVIII-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3

חבילת מכשירי ספק

TO-220

פיזור כוח (מקסימום)

168W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

120V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

56A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

69nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4200pF @ 60V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 891 PCS

פרטי התקשרות