קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y,S4X MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK560A65Y,S4X

MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS

מספר חלק

TK560A65Y,S4X

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

DTMOSV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3 Full Pack

חבילת מכשירי ספק

TO-220SIS

פיזור כוח (מקסימום)

30W

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

560 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 240µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

14.5nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

380pF @ 300V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2110 PCS

פרטי התקשרות