קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3E06PL,S1X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK4R3E06PL,S1X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

מספר חלק

TK4R3E06PL,S1X

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSIX-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3

חבילת מכשירי ספק

TO-220

פיזור כוח (מקסימום)

87W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

48.2nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3280pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1556 PCS

פרטי התקשרות