קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

מספר חלק

TK39J60W,S1VQ

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

DTMOSIV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-3P-3, SC-65-3

חבילת מכשירי ספק

TO-3P(N)

פיזור כוח (מקסימום)

270W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

Super Junction

מתח ניקוז למקור (Vdss)

600V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

38.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 1.9mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

110nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4100pF @ 300V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3185 PCS

פרטי התקשרות