קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK35N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

מספר חלק

TK35N65W,S1F

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

DTMOSIV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-247-3

חבילת מכשירי ספק

TO-247

פיזור כוח (מקסימום)

270W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

35A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 2.1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

100nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4100pF @ 300V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1582 PCS

פרטי התקשרות