קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X5,S1X MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK25E60X5,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

מספר חלק

TK25E60X5,S1X

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

DTMOSIV-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3

חבילת מכשירי ספק

TO-220

פיזור כוח (מקסימום)

180W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

600V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

25A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.2mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

60nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2400pF @ 300V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1389 PCS

פרטי התקשרות