קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

חרסינה
ספק רכיבים אלקטרוניים מקצועי

קטלוגים יצרנים CN ICs

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK17E65W,S1X

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

מספר חלק

TK17E65W,S1X

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

DTMOSIV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3

חבילת מכשירי ספק

TO-220

פיזור כוח (מקסימום)

165W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

17.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 900µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

45nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1800pF @ 300V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2337 PCS

פרטי התקשרות