קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W,S5X MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK11A65W,S5X

MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220

מספר חלק

TK11A65W,S5X

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

DTMOSIV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3 Full Pack

חבילת מכשירי ספק

TO-220SIS

פיזור כוח (מקסימום)

35W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

11.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 450µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

25nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

890pF @ 300V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1870 PCS

פרטי התקשרות