קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK11A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS

מספר חלק

TK11A50D(STA4,Q,M)

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

π-MOSVII

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3 Full Pack

חבילת מכשירי ספק

TO-220SIS

פיזור כוח (מקסימום)

45W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

500V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

11A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

24nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1200pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3504 PCS

פרטי התקשרות