קנה Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F) MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

2SJ360(F)

MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

מספר חלק

2SJ360(F)

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Bulk

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-243AA

חבילת מכשירי ספק

PW-MINI

פיזור כוח (מקסימום)

500mW (Ta)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

730 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

6.5nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

155pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1813 PCS

פרטי התקשרות