התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
מספר חלק
TH58BYG2S3HBAI6
יצרן/מותג
סִדרָה
Benand™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tray
טֶכנוֹלוֹגִיָה
FLASH - NAND (SLC)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 85°C (TA)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
67-VFBGA
חבילת מכשירי ספק
67-VFBGA (6.5x8)
אספקת מתח
1.7 V ~ 1.95 V
סוג זיכרון
Non-Volatile
גודל זיכרון
4Gb (512M x 8)
זמן גישה
25ns
תדר שעון
-
פורמט זיכרון
Flash
כתוב זמן מחזור - Word, Page
25ns
ממשק זיכרון
Parallel
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3563 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של TH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6 רכיבים אלקטרוניים
TH58BYG2S3HBAI6 מכירות
ספק TH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6 מפיץ
TH58BYG2S3HBAI6 טבלת נתונים
TH58BYG2S3HBAI6 תמונות
מחיר TH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6 הצעה
TH58BYG2S3HBAI6 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש TH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6 רכישה
שבב TH58BYG2S3HBAI6