קנה Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CL C0G MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TSM80N1R2CL C0G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

מספר חלק

TSM80N1R2CL C0G

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Short Leads, I²Pak

חבילת מכשירי ספק

TO-262S (I2PAK)

פיזור כוח (מקסימום)

110W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

800V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

5.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

19.4nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

685pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1192 PCS

פרטי התקשרות