קנה Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03EPQ56 RLG MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

TSM080N03EPQ56 RLG

MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN

מספר חלק

TSM080N03EPQ56 RLG

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

חבילת מכשירי ספק

8-PDFN (5x6)

פיזור כוח (מקסימום)

54W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

55A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

750pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3887 PCS

פרטי התקשרות