קנה Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR RLG MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

TSM015NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

מספר חלק

TSM015NA03CR RLG

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

חבילת מכשירי ספק

8-PDFN (5x6)

פיזור כוח (מקסימום)

104W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

205A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

67nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4243pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2116 PCS

פרטי התקשרות