קנה Taiwan Semiconductor Corporation SF18GHB0G DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SF18GHB0G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

מספר חלק

SF18GHB0G

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101

סטטוס חלק

Active

אריזה

Bulk

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

DO-204AL, DO-41, Axial

חבילת מכשירי ספק

DO-204AL (DO-41)

סוג דיודה

Standard

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io)

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

1.7V @ 1A

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

5µA @ 600V

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

600V

מְהִירוּת

Fast Recovery = 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

35ns

טמפרטורת הפעלה - צומת

-55°C ~ 150°C

קיבול @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1701 PCS

פרטי התקשרות