קנה Taiwan Semiconductor Corporation HS2JA R3G DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

HS2JA R3G

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

מספר חלק

HS2JA R3G

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

DO-214AC, SMA

חבילת מכשירי ספק

DO-214AC (SMA)

סוג דיודה

Standard

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io)

1.5A

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

1.7V @ 1.5A

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

5µA @ 600V

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

600V

מְהִירוּת

Fast Recovery = 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

75ns

טמפרטורת הפעלה - צומת

-55°C ~ 150°C

קיבול @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1297 PCS

פרטי התקשרות