STI33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
מספר חלק
STI33N60M2
יצרן/מותג
סִדרָה
MDmesh™ II Plus
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
חבילת מכשירי ספק
I2PAK (TO-262)
פיזור כוח (מקסימום)
190W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
600V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
45.5nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1781pF @ 100V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±25V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1462 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של STI33N60M2
STI33N60M2 רכיבים אלקטרוניים
STI33N60M2 מכירות
ספק STI33N60M2
STI33N60M2 מפיץ
STI33N60M2 טבלת נתונים
STI33N60M2 תמונות
מחיר STI33N60M2
STI33N60M2 הצעה
STI33N60M2 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש STI33N60M2
STI33N60M2 רכישה
שבב STI33N60M2