VT6M1T2CR
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
מספר חלק
VT6M1T2CR
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tape & Reel (TR)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
כוח - מקסימום
120mW
חבילת מכשירי ספק
VMT6
סוג FET
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
-
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
7.1pF @ 10V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל chen_hx1688@hotmail.com, אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2987 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של VT6M1T2CR
VT6M1T2CR רכיבים אלקטרוניים
VT6M1T2CR מכירות
ספק VT6M1T2CR
VT6M1T2CR מפיץ
VT6M1T2CR טבלת נתונים
VT6M1T2CR תמונות
מחיר VT6M1T2CR
VT6M1T2CR הצעה
VT6M1T2CR המחיר הנמוך ביותר
חיפוש VT6M1T2CR
VT6M1T2CR רכישה
שבב VT6M1T2CR