התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
RQ7E110AJTCR

RQ7E110AJTCR

NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
מספר חלק
RQ7E110AJTCR
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירי ספק
TSMT8
פיזור כוח (מקסימום)
1.5W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
22nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
2410pF @ 15V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V
Vgs (מקסימום)
±12V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3930 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR רכיבים אלקטרוניים
RQ7E110AJTCR מכירות
ספק RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR מפיץ
RQ7E110AJTCR טבלת נתונים
RQ7E110AJTCR תמונות
מחיר RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR הצעה
RQ7E110AJTCR המחיר הנמוך ביותר
חיפוש RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR רכישה
שבב RQ7E110AJTCR