HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
מספר חלק
HS8K11TB
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-UDFN Exposed Pad
כוח - מקסימום
2W
חבילת מכשירי ספק
HSML3030L10
סוג FET
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
11.1nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
500pF @ 15V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 934 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של HS8K11TB
HS8K11TB רכיבים אלקטרוניים
HS8K11TB מכירות
ספק HS8K11TB
HS8K11TB מפיץ
HS8K11TB טבלת נתונים
HS8K11TB תמונות
מחיר HS8K11TB
HS8K11TB הצעה
HS8K11TB המחיר הנמוך ביותר
חיפוש HS8K11TB
HS8K11TB רכישה
שבב HS8K11TB