קנה Renesas Electronics America RJK6012DPE-00#J3 MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

RJK6012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

מספר חלק

RJK6012DPE-00#J3

יצרן/מותג

Renesas Electronics America

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SC-83

חבילת מכשירי ספק

4-LDPAK

פיזור כוח (מקסימום)

100W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

600V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

920 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

30nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1100pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3903 PCS

פרטי התקשרות