קנה Renesas Electronics America NP82N04PDG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 82A TO-263

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

NP82N04PDG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 82A TO-263

מספר חלק

NP82N04PDG-E1-AY

יצרן/מותג

Renesas Electronics America

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

TO-263

פיזור כוח (מקסימום)

1.8W (Ta), 143W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

82A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

150nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

9000pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1934 PCS

פרטי התקשרות