קנה Renesas Electronics America NP36P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 36A TO-263

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

NP36P06KDG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 36A TO-263

מספר חלק

NP36P06KDG-E1-AY

יצרן/מותג

Renesas Electronics America

סִדרָה

סטטוס חלק

Discontinued at Digi-Key

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

TO-263

פיזור כוח (מקסימום)

1.8W (Ta), 56W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29.5 mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

54nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3100pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3579 PCS

פרטי התקשרות