קנה Renesas Electronics America NP160N04TDG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 160A TO-263

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

NP160N04TDG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 160A TO-263

מספר חלק

NP160N04TDG-E1-AY

יצרן/מותג

Renesas Electronics America

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

חבילת מכשירי ספק

TO-263-7

פיזור כוח (מקסימום)

1.8W (Ta), 220W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

160A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

270nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

15750pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3787 PCS

פרטי התקשרות