קנה ON Semiconductor NTMS10P02R2G MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

NTMS10P02R2G

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

מספר חלק

NTMS10P02R2G

יצרן/מותג

ON Semiconductor

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירי ספק

8-SOIC

פיזור כוח (מקסימום)

1.6W (Ta)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

8.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

70nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3640pF @ 16V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1074 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

NTMS10P02R2

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC