NTHD2110TT1G
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
מספר חלק
NTHD2110TT1G
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירי ספק
ChipFET™
פיזור כוח (מקסימום)
1.1W (Ta)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
12V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
14nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1072pF @ 6V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
1.8V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±8V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1637 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G רכיבים אלקטרוניים
NTHD2110TT1G מכירות
ספק NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G מפיץ
NTHD2110TT1G טבלת נתונים
NTHD2110TT1G תמונות
מחיר NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G הצעה
NTHD2110TT1G המחיר הנמוך ביותר
חיפוש NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G רכישה
שבב NTHD2110TT1G