קנה ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

מספר חלק

HGTD1N120BNS9A

יצרן/מותג

ON Semiconductor

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

סוג קלט

Standard

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

כוח - מקסימום

60W

חבילת מכשירי ספק

TO-252AA

זמן התאוששות הפוך (trr)

נוכחי - אספן (Ic) (מקסימום)

5.3A

מתח - התמוטטות פולט קולט (מקסימום)

1200V

סוג IGBT

NPT

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 1A

נוכחי - אספן דופק (Icm)

מיתוג אנרגיה

70µJ (on), 90µJ (off)

תשלום השער

14nC

Td (הפעלה/כיבוי) @ 25°C

15ns/67ns

מצב מבחן

960V, 1A, 82 Ohm, 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1896 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA