FQD1N80TM
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
מספר חלק
FQD1N80TM
יצרן/מותג
סִדרָה
QFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
חבילת מכשירי ספק
D-Pak
פיזור כוח (מקסימום)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
800V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
7.2nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
195pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2397 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של FQD1N80TM
FQD1N80TM רכיבים אלקטרוניים
FQD1N80TM מכירות
ספק FQD1N80TM
FQD1N80TM מפיץ
FQD1N80TM טבלת נתונים
FQD1N80TM תמונות
מחיר FQD1N80TM
FQD1N80TM הצעה
FQD1N80TM המחיר הנמוך ביותר
חיפוש FQD1N80TM
FQD1N80TM רכישה
שבב FQD1N80TM