FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
מספר חלק
FQD10N20CTF
יצרן/מותג
סִדרָה
QFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
חבילת מכשירי ספק
D-Pak
פיזור כוח (מקסימום)
50W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
200V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
26nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
510pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1805 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של FQD10N20CTF
FQD10N20CTF רכיבים אלקטרוניים
FQD10N20CTF מכירות
ספק FQD10N20CTF
FQD10N20CTF מפיץ
FQD10N20CTF טבלת נתונים
FQD10N20CTF תמונות
מחיר FQD10N20CTF
FQD10N20CTF הצעה
FQD10N20CTF המחיר הנמוך ביותר
חיפוש FQD10N20CTF
FQD10N20CTF רכישה
שבב FQD10N20CTF