FQB9N08TM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
מספר חלק
FQB9N08TM
יצרן/מותג
סִדרָה
QFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
חבילת מכשירי ספק
D²PAK (TO-263AB)
פיזור כוח (מקסימום)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
80V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
7.7nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
250pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±25V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1154 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של FQB9N08TM
FQB9N08TM רכיבים אלקטרוניים
FQB9N08TM מכירות
ספק FQB9N08TM
FQB9N08TM מפיץ
FQB9N08TM טבלת נתונים
FQB9N08TM תמונות
מחיר FQB9N08TM
FQB9N08TM הצעה
FQB9N08TM המחיר הנמוך ביותר
חיפוש FQB9N08TM
FQB9N08TM רכישה
שבב FQB9N08TM