קנה ON Semiconductor FDS5170N7 MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

FDS5170N7

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC

מספר חלק

FDS5170N7

יצרן/מותג

ON Semiconductor

סִדרָה

PowerTrench®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירי ספק

8-SO

פיזור כוח (מקסימום)

3W (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

10.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 10.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

71nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2889pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

6V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3534 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

FDS5170N7

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC