קנה ON Semiconductor FDP027N08B-F102 MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

FDP027N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

מספר חלק

FDP027N08B-F102

יצרן/מותג

ON Semiconductor

סִדרָה

PowerTrench®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3

חבילת מכשירי ספק

TO-220-3

פיזור כוח (מקסימום)

246W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

80V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

178nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

13530pF @ 40V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2001 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

FDP020N06B-F102

MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3