קנה ON Semiconductor FDC855N MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

מספר חלק

FDC855N

יצרן/מותג

ON Semiconductor

סִדרָה

PowerTrench®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

חבילת מכשירי ספק

SuperSOT™-6

פיזור כוח (מקסימום)

1.6W (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

6.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

13nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

655pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1699 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT