קנה NXP USA Inc. PMWD19UN,518 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

PMWD19UN,518

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

מספר חלק

PMWD19UN,518

יצרן/מותג

NXP USA Inc.

סִדרָה

TrenchMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

כוח - מקסימום

2.3W

חבילת מכשירי ספק

8-TSSOP

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

28nC @ 5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1478pF @ 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3635 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

PMWD15UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP