קנה NXP USA Inc. PMDPB56XN,115 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

PMDPB56XN,115

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

מספר חלק

PMDPB56XN,115

יצרן/מותג

NXP USA Inc.

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-UDFN Exposed Pad

כוח - מקסימום

510mW

חבילת מכשירי ספק

DFN2020-6

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

170pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 953 PCS

פרטי התקשרות