קנה NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

מספר חלק

PMDPB38UNE,115

יצרן/מותג

NXP USA Inc.

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-UDFN Exposed Pad

כוח - מקסימום

510mW

חבילת מכשירי ספק

DFN2020-6

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

268pF @ 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 659 PCS

פרטי התקשרות