קנה NXP USA Inc. PMDPB42UN,115 MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

PMDPB42UN,115

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

מספר חלק

PMDPB42UN,115

יצרן/מותג

NXP USA Inc.

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-UDFN Exposed Pad

כוח - מקסימום

510mW

חבילת מכשירי ספק

DFN2020-6

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

185pF @ 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2410 PCS

פרטי התקשרות