קנה NXP USA Inc. PHM12NQ20T,518 MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

PHM12NQ20T,518

MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

מספר חלק

PHM12NQ20T,518

יצרן/מותג

NXP USA Inc.

סִדרָה

TrenchMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-VDFN Exposed Pad

חבילת מכשירי ספק

8-HVSON (6x5)

פיזור כוח (מקסימום)

62.5W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

200V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

14.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

26nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1230pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3142 PCS

פרטי התקשרות