קנה NXP USA Inc. PHB110NQ06LT,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

PHB110NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

מספר חלק

PHB110NQ06LT,118

יצרן/מותג

NXP USA Inc.

סִדרָה

TrenchMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D2PAK

פיזור כוח (מקסימום)

200W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

55V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

75A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

45nC @ 5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3960pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 853 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

PHB101NQ04T,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK