קנה Microsemi Corporation APT1001RBN MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

APT1001RBN

MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

מספר חלק

APT1001RBN

יצרן/מותג

Microsemi Corporation

סִדרָה

POWER MOS IV®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-247-3

חבילת מכשירי ספק

TO-247AD

פיזור כוח (מקסימום)

310W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

1000V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

130nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2950pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1288 PCS

פרטי התקשרות